一、概述

ME-L 是一款科研級全自動高精度穆勒矩陣型橢偏儀，凝聚了頤光科研團隊在橢偏技術(shù)多年的投入，其采用行業(yè)前沿的創(chuàng)新技術(shù)，具備 1  全穆勒矩陣測量技術(shù)， 2  雙旋轉(zhuǎn)補償器同步控制技術(shù)，3  超級消色差補償器設計技術(shù)，4  納米光柵表征測量技術(shù)   等技術(shù)?？蓱糜诟鞣N各向同性/異性薄膜材料膜厚、光學納米光柵常數(shù)以及一維/二維納米光柵材料結(jié)構(gòu)的表征分析，代表當今橢偏行業(yè)比較高的技術(shù)水平。

■ 雙旋轉(zhuǎn)補償器(DRC)配置一次測量全部穆勒矩陣16個元素；

■ 配置自動變角器、五維樣件控制平臺等優(yōu)質(zhì)硬件模塊；

■ 軟件交互式界面配合輔助向?qū)皆O計，易上手、操作便捷；

■ 豐富的數(shù)據(jù)庫和幾何結(jié)構(gòu)模型庫，保證強大數(shù)據(jù)分析能力

二、產(chǎn)品特點

■ 采用氘燈和鹵素燈復合光源，光譜覆蓋紫外到近紅外范圍 (193-2500nm)；

■ 可實現(xiàn)穆勒矩陣數(shù)據(jù)處理，測量信息量更大，測量速度快、數(shù)據(jù)更加精準；

■ 基于雙旋轉(zhuǎn)補償器配置，可一次測量獲得全穆勒矩陣的16個元素，相對傳統(tǒng)光譜橢偏儀可獲取更加豐富全面測量信息；

■ 頤光技術(shù)確保在寬光譜范圍內(nèi)，提供優(yōu)質(zhì)穩(wěn)定的各波段光譜；

■ 數(shù)百種材料數(shù)據(jù)庫、多種算法模型庫，涵蓋了目前絕大部分的光電材料；

■ 集成對納米光柵的分析，可同時測量分析納米結(jié)構(gòu)周期、線寬、線高、側(cè)壁角、粗糙度等幾何形貌信息；

三、產(chǎn)品應用

■ 半導體薄膜結(jié)構(gòu)：介電薄膜、金屬薄膜、高分子、光刻膠、硅、PZT膜，激光二極管GaN和AlGaN、透明的電子器件等；

■ 半導體周期性納米結(jié)構(gòu)：納米光柵，套刻誤差，T型相變存儲器等；

■ 新材料，新物理現(xiàn)象研究：材料光學各向異性，電光效應、彈光效應、聲光效應、磁光效應、旋光效應、Kerr效應、Farady效應等；

■ 平板顯示：TFT、OLED、等離子顯示板、柔性顯示板等；

■ 光伏太陽能：光伏材料（如Si3N4、Sb2Se3、Sb2S3、CdS等）反射率，消光系數(shù)測量，膜層厚度及表面粗糙度測量等；

■ 功能性涂料：增透型、自清潔型、電致變色型、鏡面性光學涂層，以及高分子、油類、Al2O3表面鍍層和處理等；

■ 生物和化學工程：有機薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子層、薄膜吸附、表面改性處理等；

■ 塊狀材料分析：固體（金屬、半導體、介質(zhì)等）或液體（純凈物或混合物）的折射率n和消光系數(shù)k表征，玻璃新品研發(fā)和質(zhì)量控制等。

四、技術(shù)規(guī)格

● 重復性精度指標針對100nmSiO2/Si標準樣件30次重復性測量；

● 儀器具體技術(shù)參數(shù)需與實際功能模塊、配件有關，表中數(shù)據(jù)僅供參考

五、可選配置

波段選擇

V : 380-1000nm                     VN :380-1650nm

UV :245-1000nm                    UN :210-1650nm

UV+ :210-1000nm                 DN :193-1650nm

DUV :193-1000nm                 UN+ :210- 2500nm

角度選擇

自動 ：45-90° 

手動 ：45-90°（5°步進） 

固定 ：65° 

其它選擇 

Mapping選擇 : 4~12英寸（供參考，按需定制）

溫控臺: -193~1000℃（供參考，按需定制）